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型号 IPB65R660CFD
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
IPB65R660CFD PDF
代理商 IPB65R660CFD
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 660 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 615pF @ 100V
功率 - 最大 62.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB65R660CFD-ND
IPB65R660CFDATMA1
SP000861698
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